光学对准等环节所需时间。
要想能够完善所有环节，必须用漫长的时间去摸索，调试，这就需要大量的投资。虽然欧派微芯出钱，各大学和几大光学所出技术，花了无数的钱，但是因为华国整体工业实力的不足，华国国产光刻机为了提高套刻精度，还是不得不降低生产效率。
华国九十年代研发的1微米前道光刻机相比于进口产品，效率一直差得比较多，就是这个原因，所以为了提高生产效率，孙祖杰很早就想到了阿斯麦的双工作台。
双工作台系统，使得光刻机能在一个工作台进行曝光晶圆片，同时在另外一个工作台进行预对准工作，并在第一时间得到结果反馈，这样生产效率可以提高大约 35%，精度提高 10%以上。
但是双工件台系统虽然仅是加一个工作台，但技术难度却不容小觑，对工作台转移速度和精度有非常高的要求。
华国工程师从磁悬浮技术得到启示，利用华国在永磁体领域的领先，正在全力开发磁悬浮工作台，目前实验研究已经有了不小的突破，实验发现精度确实有了不小的提高。
现在有了193nmarf光源，有了浸没式光学镜头，又有了双工作台的突破，专家们经过研究认为根本没有必要再跟着西方的技术路线亦步亦趋，欧派微芯完全可以直接攻关0.1微米左右线程的浸没式光刻机。
因为使用 193nmarf光源的浸没式光刻机，波长直接缩短为134nm，这样新型光刻机可以直接从0.1nm左右线程起步，再通过光学邻近效应矫正等技术后，其极限光刻工艺节点甚至可达 28nm。
要知道在
第785章 弯道超车的机会(2/6)