刻工艺的刻道宽度刚刚达到90纳米。而国内这个技术才刚刚起步，恐怕连微米级都达不到。
所以，国内那时候好多以集成元件为基础的零件，比如晶体接近开关，是根本不能用世界先进技术制作的。不是用第二代硅锗晶体管技术制作，弄出来体积庞大，就是要购买国外的微型芯片。但那时候我们是得不到好的芯片的，人家不给你，只能购买人家使用后的晶圆上淘汰的不合格品，用这些东西封装出来的元件，质量也就可以预料了。
要想有微米或者纳米级的工艺，就得用到光刻机，普通光刻机的切割光源波长太大，是无法满足芯片微雕制造要求的，且存在太强的衍射，这是我们始终无法解决的问题。
再说芯片制造。
简单的说，芯片制造就是转录刻模，类似照相原理。
把设计好的电功能集成图片制成刻模薄片，这好比相片的底片，然后通过光照，投射到涂胶的晶圆薄片上，在薄薄的胶膜上留下芯片结构图像，就是说，把设计图纸的内容转录到了晶圆薄片的胶膜上，这就是光刻机的作用。
再说刻蚀机。带有图像信息的胶膜，在刻蚀机的作用下，曝光的部分胶膜下的晶圆开始溶化脱落，在离子作用下被刻蚀掉。刻蚀机相当于雕刻刀，技术越先进，刻蚀精度越高，同样面积的晶圆上，被雕刻上的元件就越多，制作出来的芯片功能就越强大。
这就是集成芯片制作的大致原理。
当霍普斯提起晶圆的时候，老魏就意识到，他先前参观的，正是制作芯片的光刻机和刻蚀机！
他留学回国，从事晶体管研究制作十几年，就是在研究如何将
290.玩大了(2/6)