的地位越来越重要，从1970年诞生了以浮空多晶硅栅为基础的可擦除只读存储器eprom之后，国际上的存储半导体技术并没有丝毫裹足不前，而是正在不断加速前进。
eprom需要从系统上取下后暴露于紫外光下进行擦除，且每次擦除都完全抹去所有信息，这样使用很不方便，目前已经逐渐退出市场。它的替代物是后来出现的电可擦除eeprom，从此存储器就实现了在电路中灵活编程。
之后在eeprom的基础上，又发展出了快闪存储器flash-memory，比起每次只能操作单字节擦除的eeprom，flash-memory可以允许同时擦除全部阵列单元的存储信息，因此目前围绕flash-memory技术的开发，国际上已经形成了一股潮流，科技界对于这一器件的未来非常看好，西方各大厂商都试图在这一领域取得技术突破。
目前来说，国际上认为，只有不断在制程线宽上做文章，才能把闪存做的更大，因为芯片面积想要做大难度很高，面积增加带来的成本上升曲线是陡峭的，非常划不来，所以只有采用最先进的线宽才能在同样大小的闪存颗粒上集成更多的存储单元。
但是我们应该明白，制程线宽的提升是很慢的，按照摩尔定律的升级速度，晶体管数量要18个月才能翻翻，也就是说闪存芯片的容量被摩尔定律锁住了。
这是不可以接受的！
至少对于我们这些搞技术的人来说是无法接受的！我们决不能被摩尔定律捆住手脚。”
此言一出，大家都愣住了，心说你胡一亭是牛，这我们承认，可你要挑战摩尔定律，
第520章 发明mlc闪存技术(2/6)