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重生之电子风云

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第520章 发明mlc闪存技术
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,会议室里一片哗然,科学家工程师们先是面面相觑,随即手足无措,接着便开始坐立不安,最后全都开始叫好称赞起来,甚至有人开始鼓掌。

    其中赵赫更是欢喜的抓耳挠腮,他已经被胡一亭勾引的失去了理智,急忙道:“胡总你太神 了,你这是怎么想出来的!这可是专利啊!是重光的专利啊!我们得赶紧实验!赶紧写论文申请专利!”

    曹玉暖也欢喜的鼓起了掌:“胡一亭你的设想太完美了!我觉得可行!真的可行!这个路子怎么以前就没人想到呢!你真是天才!我就知道你是最棒的!”

    胡一亭看着大家的兴奋劲,心想这哪是我想出来的啊,这是以色列saifun公司搞出来的sonos-falsh技术,被英特尔在97年9月正式公布并申请专利,同时应用到他们的闪存产品中的设计,自己不过是拾人牙慧罢了。而且今后自己还将拿出另一种多电压控制栅极多层注入电荷技术的mcl产品,彻底统治mlc闪存专利市场,直到把闪存技术推向tlc和3d-nand制程!

    这时奚龙山突然开口问道:“胡总,我有个问题,你这么一搞,的确让一个存储单位可以承载四个信息,比以前翻了一倍,可接下来怎么读取呢?”

    胡一亭笑了起来:“这四种情况的电压是不同的呀,我们只要设计出一套解码电路,用于读取并解析数据就行,根据我的初步设计,可以把0.5v-2.5v设定为11,2.5v-4v设定为10,4v-5.5v设定为01,5.5v到6v设定为00,具体的解码电路设计我已经有了腹稿,这款芯片的初步设计我已经胸有成竹,上周我已经把slc芯片设

第520章 发明mlc闪存技术(5/6)
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