三星则是每平方毫米5160万。
这些数据，就是说英特尔在10nm制程晶体管密度做到了极致，但这10nm制程也是相当难产，至今还没有正式推出相关产品。
未来芯片实验室的新芯片在22nm制程，晶体管密度仅做到了每平方毫米2000万晶体管。
单单是22nm制程晶体管密度，未来芯片实验室的芯片已经做到了极致，就连英特尔的22nm工艺也只是做到了每平方毫米1530 万晶体管，这几乎是被认为22nm工艺的极限。
而未来芯片实验室的新芯片，同样是22nm制程，却是可以达到每平方毫米2000万晶体管，比英特尔的1530万晶体管，还多了470万晶体管。
当然，比起英特尔的10nm制程，未来芯片实验室的22制程就落后许多，晶体管密度仅仅只是英特尔10nm的五分之一。
只不过，得益于设计和材质的不同，同样数量的晶体管，碳基芯片的性能却是可以做到十倍以上，也就是新芯片的2000万晶体管，其性能已经超越了英特尔的1亿晶体管，甚至性能增强了一倍。
最重要的是，在性能增强一倍的情况下，碳基芯片的能耗只是后者的五分之一，而且散热更佳。
性能、能耗、散热都处于优势，这才会让封新立说出全方位超越了锐龙r9 3900x和酷睿i9 9900k这种话。
如果仅仅只是性能超越的话，那封新立也不可能会说出全方位超越，也只有在任何方面，都优越于对标产品，才算是全方位超越。
这种碳基芯片，对于半导体来说，可是一
第一千一百七十九章 新芯片的优势(2/5)