博一就弄毕业论文，顾律，你对你的学生要求倒是挺苛刻的。”张主任听后有些咂舌。
“不苛刻！”顾律还未开口，陈默倒是一脸认真表情的开口，“一点都不苛刻，我认为顾老师的安排很好，可以充分锻炼我们的能力，锤炼我们的意志，磨炼我们的精神 ！”
顾律抽了抽嘴角。
张主任倒是听了后挺乐呵的，“这小子……”
“行了，我们直接去实验室那边看看吧，顺便教教你这位学生怎么操作那些设备。”张主任提议。
顾律没意见，“行，我们过去。”
三人换上深棕色的实验服，戴上一次性口罩，在张主任的带领下推开宽禁带半导体实验室的门走进去。
宽禁带半导体是自第一代元素半导体材料（si）和第二代化合物半导体材料（gaas、gap、inp等）之后，发展起来的第三代半导体材料。
该类半导体之所以被称之为宽禁带半导体，是因为其禁带宽度较宽。
第一第二代半导体的禁带宽度一般在1.0ev到1.5ev左右。
但宽禁带半导体的禁带宽度却是大于2ev，这类材料主要包括sic（碳化硅）、c-bn（立方氮化硼）、gan（氮化镓、）aln（氮化铝）、znse（硒化锌）以及金刚石等。
禁带宽度对于半导体器件性能有着举足轻重的影响，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度。
禁带宽度越宽，耐压和耐高温的性能越强。
因此，在诸多性能上，第三代的宽紧带半导体是要优于第一代和第二代的。