光刻机是晶圆生产线中最为核心的生产设备，发展历程也是经过了数代的更迭。
如果以大规模商业性应用为标准线，大体上看，六十年代是接触式光刻机、接近式光刻机的时代，到七十年代光刻机设备主流更新到了投影式光刻机，八十年代更新到步进式光刻机，九十年代更新到步进式扫描光刻机，新世纪初期浸入式光刻机大行其道。
二十一世纪之后，得益于华人科学家林本坚博士的光刻胶上方加水创意，忽然获得大绝招的asl以侵入式光刻机一举把日系光刻机厂商从云端打入尘埃，只用了不到几年时间就垄断了全球70的光刻机市场。
由于光本质是波的缘故，在微观物理世界波长越短的光精度就越高，换句话说光的波长越短，在晶圆上刻下的线就越细。
早期的摩尔定律是预言集成电路密度每年翻倍，直到1975年摩尔定律才改成未来人尽所知的每十八个月。
根据瑞利公式cd=k1(λ/na)，其中cd代表着曝光尺寸或者叫做光刻的最小尺寸，比如50微米、30微米什么的，甚至直接代指晶圆生产线的技术标准，k1代表着干扰降低光刻尺寸的综合因素，比如光刻胶，比如车间环境供电电压等等。
na代表着镜头的数值孔径这玩意的学术描述比较复杂，简单的说就是na值越大透光越多分辨率越高。
λ这玩意经过义务九年的都知道，代表着光的波长，在公式中波长越低光刻机的精度就越高。
因此实现摩尔定律的前提就是减小k1、λ的数值，搞大na的数值。
相比磨镜头这种比较坑爹见效很慢
第266章 制程路线之争 （上）(1/6)