晶铜而是高纯铜了，必须想办法使溅镀到晶体管两端的高纯铜结晶成单晶铜。
可以通过瞬间降温的办法得到单晶铜，但是这个度不好把握，必须使用专业的设备，否则失败率太高。
这就要对离子溅镀机进行改造，使之具有瞬间降温的功能，而且必须是可控的。
为了解决这个问题，德仪公司组成了一支强大的科研力量进行技术攻关。
德仪公司高层非常重视，给技术攻关团队下了死命令，他们加班加点的实验，用了一个月的时间终于制作出了一台合用的设备。
合用的标准就是实验出了将溅镀的单晶铜靶材，完整的溅镀到了晶体管上，并且证明粘接稳了。
德仪公司本来就技术雄厚，像光刻技术、蚀刻技术，都是全球领先，唯一不能解决的就是芯片发热问题，所以说是不太成熟的0.35微米工艺。
在解决了铜互联工艺的关键技术之后，其技术等级马上提高了一大截，一举达到了0.18微米的制程工艺水平。
以0.18微米的制程工艺来制造0.35微米制程工艺水平的芯片，就是张飞吃豆芽，小菜一碟了。
在后期的封装环节，胡伟武要求用单晶铜线代替金线外部搭线，又令德仪公司的技术员眼前一亮，这个很简单的问题，如果他不说，还真没有人想到。
但是只要他一说，德仪公司的技术人员就知道可行。
特别是精简指令集芯片，外部寄存器、缓存等存储芯片特别多，要搭的线也特别多，可以节约大量的成本。
这个外部搭线的方法，无法申请专利，所以胡伟武这一句
第200章：流片成功(3/5)